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该书以编年条目式体例,省级电力市辅之以大量原始照片和文献图片,省级电力市记录了五四运动到中华人民共和国成立之间复旦大学的党员活动、党组织发展以及党领导与影响下的进步师生活动,收录了可考的500余位复旦大学中共党员名录及其籍贯、学号、院系等信息,复旦卅个团体举行座谈致函政协会陈述和平建国意见的珍贵文献以及复旦大学烈士简介等。近日,江苏已成由校党委书记焦扬担任主编的《中共复旦大学纪事(1919-1949)》正式出版近日,国家电网经规模最由校党委书记焦扬担任主编的《中共复旦大学纪事(1919-1949)》正式出版。在历任党委书记、营区域交易分管领导关心、营区域交易指导下,2019年起,经过搜集整理和研究考证,档案馆编者团队历经两年时间,将复旦党史重新梳理编排,经过一轮轮专家审稿后,该书正式出版。
早在20世纪五六十年代,复旦大学就曾几次组织整理本校党史,举办过多个党史展览,留下一批有价值的资料,档案馆校史研究室曾编写整理一批内部资料。该书的出版推动了中共党史与复旦大学校史研究,为全校师生开展党史学习教育提供了鲜活的党史教材,对进一步传承、弘扬红色基因有着非常重要意义。
该书以编年条目式体例,辅之以大量原始照片和文献图片,记录了五四运动到中华人民共和国成立之间复旦大学的党员活动、党组织发展以及党领导与影响下的进步师生活动,收录了可考的500余位复旦大学中共党员名录及其籍贯、学号、院系等信息,复旦卅个团体举行座谈致函政协会陈述和平建国意见的珍贵文献以及复旦大学烈士简介等。制图:实习编辑:责任编辑:李斯嘉作为复旦上医创建95周年的校园文化地标之一的抗战时期老校门,是按照1941至1946年间上医在重庆歌乐山上办学的校舍大门复原建造,老校门见证烽火岁月,承载着老一辈上医人开拓进取、爱国奉献的精神,也象征上医与重医两校之间深厚血脉联系。为深入学习践行党的二十大精神,充分发挥党建引领作用,加强校区之间的互动交流,11月28日,枫林校区管委会、江湾校区管委会、张江校区管委会在枫林校区开展三校区管委会党支部共建活动。
制图:实习编辑:孙一诺责任编辑:李斯嘉。通过共建联学活动,三个校区管委会加强了学习与交流,促进了校区之间的互动,推进了党建与业务工作的有机融合。上海医学院党委副书记、副院长徐军出席座谈会。在上医文化中心,大家饶有兴致地参观了上医院史馆。
一段段院史故事、一件件医学器材、一张张档案照片,都在诉说着上医人95年来坚持为人群服务、为强国奋斗的使命担当。随后,各校区管委会负责人分别结合二十大精神的学习,就部门职责定位、校区规划、重点工作等方面进行了深入交流、讨论。
这座纪念校门,将见证复旦上医在新时代新起点上推动高质量发展的辉煌篇章。徐军对江湾、张江校区管委会同志的到来表示欢迎,分析了各校区校园管理的工作特点,并介绍了枫林校区近期重点工作,希望三个校区管委会在学校的领导下,加强交流,互相学习,共同做好校区管理工作。
大家纷纷表示,要立足岗位,务实担当,以实际行动贯彻落实党的二十大精神,为学校事业发展作出自己的贡献。座谈会结束后,三个校区管委会同志们参观抗战时期老校门和新落成的上医文化中心。大家依次参观了始创奠基探索发展改革振兴奋进一流携手向前进展五个展厅以及医学丰碑中国共产党人的精神谱系——上医人的身影两个专题连廊。管委会将紧密围绕建设第一个复旦的目标和学校中心大局,坚持服务教学科研、服务师生员工,努力提供优质、高效的运行保障,着力营造文明、和谐的校园环境例如7nm节点以下业界使用极紫外光刻技术实现高精度尺寸微缩。该技术将进一步提升芯片的集成密度,满足高算力处理器,高密度存储器及人工智能等应用的发展需求,助力打破国外在大规模集成电路领域的技术封锁。
相关工作得到了科技部重点研发计划、国家自然基金委杰出青年基金、上海市探索者计划等项目的资助,以及教育部创新平台的支持。同时,两种材料的载流子迁移率接近,器件性能完美匹配,使异质CFET的性能优于传统硅基及其他材料。
目前,基于工业化产线的更大尺寸晶圆级异质CFET技术正在研发中。因此,研发与我国主流技术高度兼容的CFET器件与集成,对于自主发展新型集成电路技术具有重要意义。
复旦大学研究团队将新型二维原子晶体引入传统的硅基芯片制造流程,实现了晶圆级异质CFET技术。二硫化钼的低温工艺与当前硅基集成电路的后端工艺流程高度兼容,大幅降低了工艺难度且避免了器件的退化。
在相同的工艺节点下实现了器件集成密度翻倍,并获得了卓越的电学性能。北京时间2022年12月9日,相关成果以《硅和二硫化钼异质互补场效应晶体管》(Heterogeneous Complementary Field-effect Transistors Based on Silicon and Molybdenum Disulfide)为题发表于国际顶尖期刊《自然-电子学》(Nature Electronics)。极紫外光刻设备复杂,在现有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管(CFET) 技术价值凸显。图: 硅基二维叠层晶体管的概念、晶圆级制造与器件结构研究团队利用硅基集成电路的标准后端工艺,将二硫化钼(MoS2)三维堆叠在传统的硅基芯片上,形成p型硅-n型二硫化钼的异质互补CFET结构。
例如其反相器增益在3V供电时高达142.3 V/V ,在超低压供电0.1V时其增益达1.2 V/V且功耗低至64pW。针对这一关键技术,复旦大学微电子学院周鹏教授、包文中研究员及信息科学与工程学院万景研究员创新地提出了硅基二维异质集成叠层晶体管。
该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上,并利用两者高度匹配的物理特性,成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。
传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构,从而获得高性能计算能力。然而,全硅基CFET的工艺复杂度高且性能在复杂工艺环境下退化严重。
团队还验证了该新型器件在 全在一光电探测及气体传感中的应用。相比于硅材料,二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力极紫外光刻设备复杂,在现有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管(CFET) 技术价值凸显。北京时间2022年12月9日,相关成果以《硅和二硫化钼异质互补场效应晶体管》(Heterogeneous Complementary Field-effect Transistors Based on Silicon and Molybdenum Disulfide)为题发表于国际顶尖期刊《自然-电子学》(Nature Electronics)。
相关工作得到了科技部重点研发计划、国家自然基金委杰出青年基金、上海市探索者计划等项目的资助,以及教育部创新平台的支持。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。
然而,全硅基CFET的工艺复杂度高且性能在复杂工艺环境下退化严重。该技术将进一步提升芯片的集成密度,满足高算力处理器,高密度存储器及人工智能等应用的发展需求,助力打破国外在大规模集成电路领域的技术封锁。
复旦大学研究团队将新型二维原子晶体引入传统的硅基芯片制造流程,实现了晶圆级异质CFET技术。二硫化钼的低温工艺与当前硅基集成电路的后端工艺流程高度兼容,大幅降低了工艺难度且避免了器件的退化。
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